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一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台
2026-04-28 18:16:44

(72)发明人请求不公布姓名**(74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有
1.一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征在于,该自动化双脉冲测
所述自动化测试单元包括MCU控制模块、DAC模块、数据采集模块和数据存储模块,所述
MCU控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接,以将MCU控制模块输出的数字电压转化
为模拟值,并根据其驱动该双脉冲测试单元进行测试;所述数据采集模块与双脉冲测试单
元和MCU控制模块连接,以实现测试数据的采集;所述数据存储模块与MCU控制模块连接,用
所述控制单元与MCU控制模块连接,用于对其进行控制并获取测试数据,以此实现自动
2.如权利要求1所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征在于,隔离
单元包括驱动隔离模块和信号隔离模块,所述驱动隔离模块设置在DAC模块与双脉冲测试
3.如权利要求1所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征在于,所述
自动化双脉冲测试平台还包括无线数据传输单元,所述无线数据传输单元设置在控制单元
和自动化测试单元之间,用于对控制信号和测试数据进行无线所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征在于,所述
控制单元包括第一无线传输模块和控制模块,同时所述无线数据传输单元包括第二无线传
输模块,其中:所述控制模块与第一无线传输模块连接,所述第二无线传输模块设置在MCU
控制模块与第一无线任一项所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征
6.如权利要求1~4任一项所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征
7.如权利要求2所述的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,其特征在于,所述
本实用新型属于双脉冲测试领域,更具体地,涉及一种用于碳化硅MOSFET的自动
碳化硅MOSFET(金属‑氧化物半导体场效应晶体管)是电力电子设备的关键组成部
分,与硅材料相比碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性,适用于更高的工
作频率,同时还具有较高的高温稳定性。通常,对于碳化硅MOSFET通常使用双脉冲方式进行
在对碳化硅MOSFET进行双脉冲测试时,为了获得较为详细的测试参数,需要对驱
动电压、上下管的开通时间,即两个脉冲的宽度以及间隔时间进行调整,这样在测试过程中
就需要不断对输入信号进行调整。同时,在测试过程中,还需要对驱动电压、回路电流等各
种参数进行监视,以便对器件性能进行分析。现有技术中,对碳化硅MOSDET进行双脉冲测试
时,整个过程需要不断利用人工对参数进行调节,每次测试完毕存储数据后,则需要人工调
针对现有技术的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种用于碳化硅MOSFET的自动
化双脉冲测试平台,旨在解决现有的双脉冲测试平台人工参与度高、效率低下的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试
平台,该自动化双脉冲测试平台包括双脉冲测试单元、自动化测试单元、隔离单元和控制单
所述自动化测试单元包括MCU控制模块、DAC模块、数据采集模块和数据存储模块,
所述MCU控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接,以将MCU控制模块输出的数字电压
转化为模拟值,并根据其驱动该双脉冲测试单元进行测试;所述数据采集模块与双脉冲测
试单元和MCU控制模块连接,以实现测试数据的采集;所述数据存储模块与MCU控制模块连
所述控制单元与MCU控制模块连接,用于对其进行控制并获取测试数据,以此实现
隔离模块设置在DAC模块与双脉冲测试单元之间,所述信号隔离模块设置在双脉冲测试单
无线数据传输单元设置在控制单元和自动化测试单元之间,用于对控制信号和测试数据进
无线数据传输单元包括第二无线传输模块,其中:所述控制模块与第一无线传输模块连接,
1 .本实用新型与传统双脉冲平台相比,增加了自动化测试单元和控制单元,其中
控制单元可以根据测试需求对控制信号的脉宽和间隔时间进行设置,MCU接收到控制信号
后经过解析后,生成相应的控制指令并驱动双脉冲测试单元进行测试,从而在自动化测试
逻辑的控制下,实现输入参数等步长的自动化调节,同时数据采集模块和数据存储模块对
测试数据进行实时采集和存储,有效简化了测试流程,极大地提高了双脉冲测试效率;
2.同时,本实用新型通过设置无线数据传输单元,使得控制系统和MCU控制模块通
过无线传输系统进行通信,从而实现对整个测试平台的远程控制和远程数据读取。
图1是本实用新型实施例提供的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台的结
例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释
如图1所示,本实用新型提供了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台,
该自动化双脉冲测试平台包括双脉冲测试单元、自动化测试单元、隔离单元和控制单元,其
自动化测试单元包括MCU控制模块、DAC模块、数据采集模块和数据存储模块,MCU
控制模块通过DAC模块与双脉冲测试单元连接,以将MCU控制模块输出的数字电压转化为模
拟值,并根据其驱动该双脉冲测试单元进行测试,从而实现对阈值电压的高精度调整,获取
更为详细的器件特性参数;数据采集模块与双脉冲测试单元和MCU控制模块连接,以此实现
测试数据的采集;数据存储模块与MCU控制模块连接,用于将采集的测试数据进行存储;
元的高电压,其包括驱动隔离模块和信号隔离模块,驱动隔离模块设置在DAC模块与双脉冲
控制单元与MCU控制模块连接,用于对其进行控制并获取测试数据,以此实现自动
化测试,其可根据测试的需求对控制信号的脉宽以及间隔时间进行设置,MCU控制模块接收
到控制信号后对脉宽及两个脉冲的间隔时间等信息进行解读后,生成两个相应的脉宽及间
隔时间的脉冲,以完成测试,同时该控制单元还可以通过MCU控制模块实时获取测试数据。
本实用新型提供的用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试平台通过控制单元与
自动化测试单元相互作用,实现了输入信号的自动调节,同时实现了对各种输出参数的实
置在控制单元和自动化测试单元之间,用于对控制信号和测试数据进行无线传输。控制单
元包括第一无线传输模块和控制模块,同时无线数据传输单元包括第二无线传输模块,控
制模块与第一无线传输模块连接,第二无线传输模块设置在MCU控制模块与第一无线传输
模块之间。工作时,控制模块通过第一无线传输模块和第二无线传输模块向MCU控制模块发
送相应的控制指令,MCU控制模块将接收到的指令解析后进行执行。例如,MCU控制模块收到
读取数据指令后,MCU控制模块从数据存储模块中读取数据后,通过第二无线传输模块和第
进一步,MCU控制模块为STM32F429及其外围电路,DAC模块为DAC7512及其附属电
用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改