超威半导体申请复用列双列直插存储器模块虚拟控制器模式专利实现第一数据与第二数据的时间复用

2026-05-20 00:24:49

　　国家知识产权局信息显示，超威半导体公司申请一项名为“复用列双列直插存储器模块（MRDIMM）虚拟控制器模式”的专利，公开号CN122055696A，申请日期为2024年6月。

　　专利摘要显示，一种存储器控制器包括命令队列级、仲裁级和分派队列。命令队列级存储已解码存储器访问请求。仲裁级能够操作以使用共享资源分别针对第一伪通道和第二伪通道从命令队列级选择第一存储器命令和第二存储器命令。分派队列具有第一上游端口和第二上游端口以及下游端口，该第一上游端口和该第二上游端口用于接收第一存储器命令和第二存储器命令，该下游端口用于传导第一存储器命令的第一数据，该第一数据与第二存储器命令的第二数据进行时间复用。

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