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点击查看更多 双脉冲测试电路原理及波形示意图-KIAMOS管
2026-08-01 10:46:37
功率器件的很多动态参数可以从器件的数据手册中获取，但是器件手册只给出特定测试条件下的动态参数。当功率回路电压和电流、驱动回路的电压、电阻和外部电容等参数变化时，器件的开关时间也将产生变化，因此在设计时有必要对器件的特定工况进行双脉冲测试，获取更加真实的性能。
(3) 获取 SiC MOSFET 在开通和关断过程中的主要参数，以评估栅极电阻取值是否合适；
其中 RG,int为内部栅极电阻，RG,ext为外部栅极电阻，CGS栅极-源极电容，CGD为栅极-漏极电容，CDS为漏极-源极电容，LG、LD和 LS分别为栅极、漏极和源极的引线为续流二极管结电容，Lloop为功率主回路寄生电感，L 为负载电感。
在第一个脉冲信号来临之前，电感电流为 0，SiC MOSFET 阻断并承受直流母线时刻，器件开始导通，电感电流按照式规律变化，即随时间按线性规律增加。
t2 时刻，开关管开始关断并换流至二极管 D1，流经开关管的电流变为 0，负载电感的电流经过二极管 D1续流。
由于续流阶段电流回路存在一定的电阻，电流将会有一定程度的减小，但此阶段极短，而且寄生电阻量很小，因此电流减小量可以忽略，近似认为 t2和 t3时刻电流相等。
t3 时刻，第二个脉冲信号使开关管开通，续流二极管开始关断，电感电流换流至开关管并继续按照线性规律增加。
t4 时刻，开关管再次关断，电流从开关管换流至续流二极管 D1，双脉冲测试结束。